2016年度
　　　　　　　田部道晴先生　最終講義・退職記念パーティー
【最終講義】
日時：平成28年3月25日（金）15：00-16：30
場所：静岡大学　総合棟2Ｆ　24教室
最終講義題目：シリコンナノデバイスの研究とともに
　　　　　　　　-静岡大学電子工学研究所で過ごした22年-
【退職記念パーティー】
日時：平成28年3月25日（金）17：30-19：30
場所：静岡大学　北館食堂
　　　　大変多くの方々にご出席いただきまして感謝申し上げます。
田部道晴
「ドーパントを介したトンネル電流の評価とデバイス応用」
電気学会　ナノエレクトロニクス新機能創出・集積化技術専門委員会
トンネル現象を利用したデバイスとその物理にて講演
早稲田大学研究開発センター
田部道晴
「Ｓｉ中の個別ドーパントの物理と利用：ＦＥＴとエサキダイオード」
ナノデバイステクノロジーワークショップ2016にて招待講演
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
2015年度
ＡｒｕｐSamanta
第17回高柳ｼﾝﾎﾟｼﾞｳﾑ
「The Best Presentation Award For Young Researchers」受賞
"Dynamical modification of the equivalent circuit with the bias voltage in a multiple-dopant system"
RIE 50th Anniversary news.pdf へのリンク 静岡大学電子工学研究所　創立50周年記念
11月15日静岡新聞の朝刊に研究室の紹介が掲載されました
モラル　ダニエル
"Atomic and Molecular Effects based on Dopants in Silicon Nanodevices"
International Conference on Small Science (ICSS)にて招待講演
Holiday Inn Resort Phuket, Thailand
田部道晴
"個別ドーパントの物理と利用：ＦＥＴとエサキダイオー"
The 2nd De Novo Si Workshop～現役シニアからの発信にて発表
静岡大学、浜松キャンパス
田部道晴
"Effect of Individual Dopants in Nano-SOI-MOSFETs and Nano-pn-Diodes"
The 228th ECS Meeting, ULSI Process Integration Symposiumにて招待講演
Phoenix Convention Center, USA
モラル　ダニエル
"Physics of Strongly-Coupled Dopant-Atoms in Nanodevices."
The 14th International Conference on Quality in Research(QiR)にて発表
Lombok Raya Hotel, Indonesia
田部道晴
インドネシア大学よりインドネシア大学電気工学科50周年貢献賞を受賞
田部道晴
"Recent Progress in Single-dopant Atom Devices."
The 14th International Conference on Quality in Research(QiR)にて招待講演
Lombok Raya Hotel, INDONESIA
田部道晴
"Dopant-cluster-assisted tunnelling in Si nanodevices."
Silicon Quantum Electronics Workshop2015にて発表
かがわ国際会議場
田部道晴
「ドーパント原子を用いたシリコンナノデバイスの研究」
豊田工業大学グリーン電子素子・材料研修センター第１回ｼﾝﾎﾟｼﾞｳﾑにて講演
豊田工業大学
田部道晴
"Tunneling Transport through Single-and Clustered -Dopants"
Ⅲ Bilateral Italy-Japan Seminar - Silicon nanoelectronics for advanced appllcations
Campus Plaza Kyoto
モラル ダニエル
"Tunneling via Single and Coupled Dopant Atoms in Si Nanodevices."
2015 EMN Quantum Technology Meeting, Beijing Xijiao Hotel
2014年度
田部道晴
学術振興会特別研究員申請説明会
「審査のポイントについて」：静岡大学　浜松キャンパス
モラル ダニエル（招待講演）
"Tunneling Transport via Dopant-induced Quantum Dots in Silicon Nano-devices"
サマンタ アルプ（若手研究者発表）
"Interaction between Dopant Atoms and Interface in Nanoscale Transistors"
ICONN 2015, SRM University, Chennai, India
田部道晴
「少数個のドーパントを利用したSiナノデバイス-ドーパントのパラダイムシフト」
電子情報通信学会研究会第1回SNT研究会：東京大学武田ホールにて講演
ダニエル　モラル
2015 International Symposium toward the Future of Advanced Researches
「Poster Award for the outstanding poster presentation」を受賞
"Atomic and molecular behavior in tunneling transport via dopants in nano-transistors"
モラル ダニエル
静岡大学准教授に就任されました
田部道晴
「個別ドーパント原子のSiデバイスへの応用」
将来デバイスに向けたシリコン系基盤研究の集い：島根大学にて講演
田部道晴
「シリコン中の少数個不純物の電子状態とデバイス応用」
電子情報通信学会東北支部学術講演会：秋田大学手形キャンパスにて講演
田部道晴
"Impact of Individual Atoms on Si Nano Electronic and Photonic Devices"
3rd International Conference on Advanced Material and Practical Nanotecnology(ICAMPN), Jakarta, Indonesia(2014.8.14-16)
若手研究（B)
「ソース端ドナー原子のエネルギーフィルタ効果を用いたSiナノトランジスタ」
（代表：モラル　ダニエル、2年）採択
2013年度
第5回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会「論文賞」受賞
Earfan Hamid, Daniel Moraru, Youhei Kuzuya, Takeshi Mizuno, Le The Anh, Hiroshi Mizuta, Michiharu Tabe
“Electron-tunneling operation of single-donor-atom transistors at elevated temperatures”
Physical Review B, Vol. 87, Issue 8, pp. 085420-1-5
モラル　ダニエル
「電子工学の研究における国際的な経験」
2013年度第7回サイエンスカフェプラス、静岡大学高柳記念未来技術創造館 (2014
2.27)
Michiharu Tabe, Daniel Moraru, Earfan Hamid, Arup Samanta, Le The Anh, Takeshi Mizuno, and Hiroshi Mizuta
"Dopant atom devices based on Si nanostructures"
7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar, "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
Tohoku University, Sendai (2014.1.27-28)

田部道晴：静岡大学　卓越研究者の称号を授与されました
「「卓越研究者」任命　静大２２人に称号」
静岡新聞　朝刊　掲載

「工学を学ぶ留学生らと懇談　静大で駐日ポーランド大使」
中日新聞　朝刊　掲載
(写真：D2 Tyszka Krzysztof （ポーランドからの留学生）により、ＫＦＭの説明をお受けになる大使）
Michiharu Tabe, Daniel Moraru, Earfan Hamid, Arup Samanta, Le The Anh, Takeshi Mizuno, Hiroshi Mizuta
"Dopant-Atom-Based Tunnel SOI-MOSFETs"
224th ECS Meeting
The Hilton San Francisco Hotel, San Francisco, California, USA (2013.10.27-11.1)
Sri Purwiyanti Surya　（スリ　プルウィヤンティ）
「12th inter-Acedemia, Best Oral Presentation Award」受賞

S. Purwiyanti, R. Nowak, D. Moraru, T. Mizuno, R. Jablonski, D. Hartanto, and M. Tabe
"Individual Dopants SIgnature in I-V Characteristics of Nanoscale SOI pn Junctions"

inter-Acedemia 2013, Bulgaria (2013. 9.23-27)にて発表
エルファン　ハミッド　（卒業生）
「働き方の行方2013」
中日新聞　朝刊　掲載
Michiharu Tabe, Daniel Moraru, Earfan Hamid, Takeshi Mizuno
“Single‐dopant Atom Devices for The Future of Nanoelectronics”
13th International Conference on Quality in Research (QiR) 2013
Sheraton Mustika Resort and Spa, Yogyakarta, Indonesia (2013. 6.25-28)
D. Moraru
“Multiple-donor systems and interaction with photons for diversity of applications”
II Bilateral Italy-Japan Seminar
Du Lac et Du Parc Grand Resort, Riva del Garda, Italy (2013. 4.29-30)
M. Tabe
“Single-dopant-atom devices: dopant observation and tunneling operation at high temperatures”
II Bilateral Italy-Japan Seminar
Du Lac et Du Parc Grand Resort, Riva del Garda, Italy (2013. 4.29-30)
挑戦的萌芽研究
「Siナノpn接合を用いたドーパント原子型トンネルダイオード」
（代表：田部道晴、2年）採択
2012年度
田部道晴
“究極の小型スイッチ「原子トランジスタ」”
サイエンスカフェin静岡
B-nest静岡市産学交流センター
田部道晴
「ドーパント原子トランジスタの研究」
文部科学省「テニュアトラック普及・定着事業（若手研究者の自立的研究環境整備促進）」　若手グローバル研究リーダー育成プロプログラム成果報告会
静岡大学佐鳴会館
D. Moraru and M. Tabe
“Single dopant transistor ―Toward room temperature operation”
ITRS Emerging Research Materials Workshop on Deterministic, conformal doping & monolayer doping,
Berkeley, USA
田部道晴
「シリコンナノ構造を用いたドーパント原子デバイス」
日本学術振興会　半導体界面制御技術第154委員会　第83回研究会
東京
M. Tabe
"Dopant Atom Devices Based on Si Nanostructures"
The 14th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium
Shizuoka Univ., Hamamatsu
葛屋陽平　工学研究科　M2

The 2012 Korean-Japanese Student Workshop
「Best Presentation Award」受賞
Daniel Ioan Moraru（ダニエル・イオアン・モラル）

IUMRS-ICEM2012
Young Scientist Award「GOLD AWARD」受賞
田部道晴

オブダ大学（ハンガリー）より名誉教授の称号を授与されました。
M. Tabe
“Single dopant atom transistors: New era of electronics”
Inter-Academia 2012
Budapest, Hungary
田部道晴
「シングルドーパントエレクトロニクス」
島根大学
田部道晴
平成24年度科学技術分野の文部科学大臣表彰　
科学技術賞　研究部門
「シリコンナノ構造を用いたドーパント原子デバイスの研究」
M. Tabe, D. Moraru, E. Hamid, M. Anwar, R. Nowak, A. Udhiarto, R. Jablonski, and T. Mizuno
"Dopant atoms in silicon nanodevices"
2012 Energy Materials Nanotechnology Meeting (2012 EMN Meeting),
Florida, USA
2011年度
M. Tabe
"Single Dopant Electronics"
JAIST Int. Seminar on Emerging Nanotechnologies for 'More-than-Moore' and 'Beyond CMOS' era (ISEN2012)
Kanazawa
M. Tabe
"Single Dopant Electronics"
4th Int. Lecture with Alexandru Ioan Cuza Univ.(Romania)
Hamamatsu
田部道晴
「シリコンナノ構造を用いたドーパント原子デバイスとフォトン検出」
東北大学電気通信研究所 組織連携型共同プロジェクト研究 研究会
浜松
M. Tabe
"Single dopant devices: Toward diversity and high temperature operation"
Italia week at Waseda, Int. Workshop (Nanoelectronics Workshop)
Tokyo
田部道晴、ダニエル・モラル、アリエフ・ウディアルト、水野武志
「シリコン系シングルドーパントデバイスとフォトン検出」
日本学術振興会 光電相互変換第125委員会 第214回研究会
浜松
Roland Nowak (ローランド・ノヴァク)
「10th inter-Academia Young Researcher Award」受賞
R. Nowak, M. Anwar, D. Moraru, T. Mizuno, R. Jablonski, and M. Tabe
"Electron filling in phosphorus donors embedded in silicon nanostructures observed by KFM technique"
Inter-Academia 2011
Romania (2011.9.26-29）にて発表
M. Tabe, D. Moraru, E. Hamid, M. Anwar, R. Nowak, Y. Kuzuya, and T. Mizuno
"Effect of donor-level deepening in nm-scale Si SOI-MOSFETs"
Inter-Academia 2011
Sucevita, Romania
田部道晴、ダニエル・モラル、水野武志
「単一ドーパントデバイス：多様性と高温動作に向けて」
2011年秋季 第72回応用物理学会学術講演会 シンポジウム講演
山形
D. Moraru, A. Udhiarto, M. Anwar, R. Nowak, R. Jablonski, E. Hamid, J. C. Tarido, T. Mizuno, and M. Tabe
"Atom devices based on single dopants in silicon nanostructures"
Nanoscale Research Letters (Nano-Review)
田部道晴
「シリコン系シングルドーパントデバイスとＫＦＭによる局所電位評価」
国際高等研究所研究会『単分子エレクトロニクスの現状認識と近未来実現へ向けての中核体制構築』
京都
M. Tabe
"Dopant Atom Devices and Photonic Devices"
Int. Seminar on the Future of Nanotechnology
Keynote speech
Jakarta, Indonesia
基盤研究(S)
「シリコンナノ構造を基盤としたドーパント原子デバイスの開発」
（代表：田部道晴、5年）採択
M. Tabe
"Atom devices based on single-dopants in silicon nanostructures"
Villa Conf. on Interactions Among Nanostructures (VCIAN 2011)
Las Vegas, USA
田部道晴
静岡大学 卓越研究者の称号を授与されました。
2010年度
田部道晴
インドネシア大学 客員教授に就任しました。
M. Tabe, A. Udhiarto, D. Moraru and T. Mizuno
"Single-photon detection by Si single-electron FETs"
Phys. Status Solidi A 208, pp.646-651
( Phys. Status Solidi A 208のカバーページに選ばれました。)
M. Tabe, D. Moraru, E. Hamid, M. Anwar, A. Udhiarto, R. Nowak, S. Miki, R. Nakamura, Y. Kawai, J. C. Tarido and T. Mizuno
"Si Single Dopant Devices"
The Int. Symp. on Nanoscale Transport and Technology (ISNTT2011)
Atsugi
M. Tabe, M. Anwar, Y. Kawai, R. Nowak, D. Moraru, R. Jablonski and T. Mizuno
"Observation of individual dopants in Si channel by Low-Temeperature KFM"
18th Int. Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM18)
Atagawa
田部道晴
「SOIを利用した新たな輸送制御による新機能デバイスの研究について」
島根大学
M. Tabe
"Single dopant devices: Single-electron transport through single-dopants"
ITRS 2nd Deterministic Doping Workshop
Berkeley, USA
M. Tabe, D. Moraru, E. Hamid, M. Anwar, A. Udhiarto, R. Nakamura, T. Mizuno
"Si single-dopant devices and their characterization"
2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2010)
Tokyo
M. Tabe, A. Udhiarto, D. Moraru and T. Mizuno
"Single-photon detection by Si single-electron FETs"
European MRS（E-MRS) Symp. J: Silicon-based nanophotonics
France
挑戦的萌芽研究
「ＰとＢの同時ドーピングによるＳｉシングルドーパントデバイスの室温動作化」
（代表：田部道晴、2年）採択
基盤研究(B)
「単一不純物制御シリコンナノエレクトロニクスに向けた原子スケール設計・評価技術創製」
（代表：水田 博、分担：田部道晴、3年）採択
TOPICS
　2010-
2000-2009
1985-1999