 2009年度 |
2010. 3. 1- 2
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M. Tabe
"Towards Silicon-based Single Dopant Technology"
JST Int. Symp. on Atom-scale Silicon Hybrid Nanotechnolgies for 'More-than-Moore' and 'Beyond CMOS'
Era, Southampton, U.K. |
2010. 1.29-30
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M. Tabe, D. Moraru, M. Anwar, Y. Kawai, S. Miki, Y. Ono and T. Mizuno
"Si Single-Dopant FETs and Observation of Single-Dopant Potential by LT-KFM"
5th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C) ),
Sendai |
2010. 1.22
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田部道晴
「シングルドーパントデバイスの現状と課題」
応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第117回研究集会 接合技術研究集会
東京 |
2009.12.19
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田部道晴
「シリコン ドーパント原子デバイス」 日本表面科学会中部支部研究会 チュートリアル講演
名古屋 |
2009.12.11
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田部道晴
「シリコンドーパント原子デバイス」
電子情報通信学会北海道支部およびIEEE札幌支部共催講演会
札幌 |
2009.11.11-12
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M. Tabe, D. Moraru, M. Anwar, K. Yokoi, R. Nakamura, M. Ligowski, S. Miki
and T. Mizuno
"Breakthrough of Advanced Nano-Silicon Devices"
2nd Int. Conf. on Advanced Material and Practice of Nanotechnology (ICAMPN),
Jakarta, Indonesia |
2009.10.13
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三木早樹人 工学研究科 電気電子工学専攻 M1
「The 6th KJS Workshop The Best Presentation Award」受賞
S. Miki, D. Moraru, R. Nakamura, M. Ligowski, T. Mizuno, M. Tabe
"Si Single Electron Devices Using Individual Dopants"
The 6th Korean-Japanese Student Workshop
浜松, (2009.10.29-30)にて発表 |
2009.10.29-30
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M.Tabe
"Single Dopant Electronics"
The 6th Korean-Japanese Student Workshop (KJS Workshop)
Hamamatsu |
2009. 9. 1- 3
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M. Tabe, D. Moraru, M. Ligowski, M. Anwar, K. Yokoi, R. Jablonski and T.
Mizuno
"Si Multi-dot FET Using Discrete Dopants"
第5回 阪大ナノサイエンステクノロジー国際シンポジウム
大阪 |
2009. 5.17-22
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M. Tabe, D. Moraru, M. Ligowski, M. Anwar, K. Yokoi, R. Jablonski and T.
Mizuno
"Observation of discrete dopant potential and its application to Si single-electron devices"
6th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-6)
Los Angeles, USA |
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| 2008年度 |
2009. 1.10
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田部道晴
「シリコンナノデバイスの新展開−少数個の電子とイオンの利用に向けて−」
静岡大学創造科学技術大学院シンポジウム
浜松 |
2009. 1.10
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田部道晴
「KFMによる半導体不純物分析の最前線」
日本学術振興会 ナノプローブテクノロジー第167委員会／第53回研究
京都 |
2008.12.19
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田部道晴
「シリコン単電子デバイス：単一フォトンおよび単一ドーパントとの相互作用
平成20年度電子情報通信学会東北支部専門講習
秋田 |
2008.12. 9-13
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M. Tabe, D. Moraru, M. Ligowski, M. Anwar, R. Jablonski and T. Mizuno
"Application and Observation of Discrete Dopant Potential for Si Single-Electron
Devices"
IUMRS Int. Conf. in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008),
Nagoya |
2008.12. 1- 5
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M. Tabe, Z. A. Burhanudin, R. Nuryadi, D. Moraru, M. Ligowski, R. Jablonski
and T. Mizuno
“Si Single-Electron SOI-MOSFETs: Interplay with Individual Dopants and
Photons”
MRS fall meeting 2008
Boston, USA |
2008.10. 2
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「集積回路 原子の「ムラ」検査−静岡大、微細化促す新技術」
日経産業新聞に掲載 |
2008. 7.30- 8. 1
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田部道晴
「シリコン単電子デバイス−ランダムドット系での単電子操作と光応用−」
第20回 放射線夏の学
浜松 |
2008. 7
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田部道晴
第2回応用物理学会「フェロー表彰」受賞
「シリコン表面の反応過程と単電子デバイスの研究」 |
2008. 5.16
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M. Tabe
"Si single-electron devices: manipulation of individual dopants"
The 5th Int. Workshop on Nanoscale Semiconductor Devices (IWNSD)
Seoul, Korea |
2008 5. 9
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田部道晴
「SiナノワイヤSET-個別ドーパントの利用に向けて-」
東北大学大学院特別講義 |
2008. 4
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基盤研究(A)
「少数ドーパントのポテンシャル揺らぎを利用したシリコン単電子転送デバイス」
（代表：田部道晴、4年）採択 |
| 2007年度 |
2007.12. 5
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田部道晴
Masaryk University (Brno, Czech Republic)より
Innovative Lectures Award (INNOLEC) 受賞
"Silicon nanoelectronics: Toward manipulation of a few electrons,
photons and ions" |
2007.11.26
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池田浩也、田部道晴
「シリコンナノ構造を利用した新機能単電子デバイス」
第97回 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究集会
東京 |
2007.11.12-14
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M. Tabe, R. Nuryadi, D. Moraru, Z. A. Burhanudin, H. Ikeda
"Si Single-Electron Devices: Interaction with Individual Dopants and
Photons"
Fifth Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)
Tokyo |
2007.11. 8-9
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M. Tabe, R. Nuryadi, T. Ishino, Y. Kasai, D. Nagata, K. Ebisawa and H.
Ikeda
"Si Bicrystal Structures for Multijunction Single-Electron Devices"
3rd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe (C) 2007),
Sendai |
2007. 9.19-21
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M. Tabe, R. Nuryadi, Z. A. Burhanudin, D. Moraru, K. Yokoi and H. Ikeda
"Manipulation of single-electrons in Si nanodevices -Interplay with
photons and ions-"
Mechatronics 2007,
Warsaw, Poland |
2007. 8.26-29
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M. Tabe, R. Nuryadi, D. Moraru, Z. A. Burhanudin, K. Yokoi and H. Ikeda
"Si multidot FETs for single-electron transfer and single-photon detection"
13th Int. Symp. on Ultrafast Phenomena in Semiconductors (13-UFPS),
Vilnius, Lithuania |
2007. 6.25-27
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M. Tabe, R. Nuryadi and Z. Burhanudin
"Si single-electron FETs for single-photon detection"
2007 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2007),
Gyeongju, Korea |
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| 2006年度 |
2007. 3.27
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Daniel Ioan Moraru（ダニエル・イオアン・モラル）
第21回（2006年秋季）応用物理学会「講演奨励賞」受賞
モラル ダニエル、小野行徳、猪川 洋、横井清人、ラトノ ヌルヤディ、池田浩也、田部道晴
「PドープSiナノワイヤにおける単電子転送」
第67回応用物理学会学術講演会、
草津（2006.8.29-9.1）にて発表 |
2007. 1.29
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田部道晴
「Si単電子デバイスとフォトン検出」
日本学術振興会 第151委員会／平成19年1月研究会、
熱海 |
2007. 1. 6
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田部道晴
「シリコン単電子デバイス ―ランダムドット系での単電子操作と光応用―」
応用物理学会 第20回上田記念講演会および東海支部40周年記念会、
名古屋 |
2006.12. 9
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田部道晴
第20回（平成18年度）「高柳記念賞」受賞
「シリコン単電子デバイスの開発とフォトン検出に関する基礎的研究」 |
2006.11. 6
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田部道晴
「多重接合型シリコン単電子デバイス −フォトン検出と単電子規則転送への展開−」
豊田理化学研究所主催 第299回物性談話会、
名古屋 |
2006. 9.22
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田部道晴
「シリコンマルチドット型単電子デバイスとフォトン検出への応用」
電気学会 E準部門 フィジカルセンサ技術委員会、
豊橋 |
2006. 9.13
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Daniel Ioan Moraru（ダニエル・イオアン・モラル）
「SSDM Young Researcher Award (2006)」受賞
(2006年4月18日付けの通知文書より）
この賞は、第一著者が30歳以下の若い研究者による優れた下記論文に与えるものである。 2006年9月に横浜で開かれたSSDM 2006において表彰された。
D. Moraru, H. Kato, S. Horiguchi, Y. Ishikawa, H. Ikeda and M. Tabe,
"Fowler-Nordheim current oscillations in Si (111)/SiO2/twisted-Si
(111) tunneling structures",
2005 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2005),
Kobe (2005.9.13-15) |
2006. 9. 4-5
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R. Nuryadi, M. Tabe
"Nanoelectronic Devices: Silicon Single Electron Device"
1st Int. Conf. on Advanced Material and Practical Nanotechnology,
Tangerang, Indonesia |
2006. 7.10
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田部道晴、ラトノヌルヤディ、池田浩也
「シリコン単電子デバイスの新展開」
日本学術振興会 未踏・ナノデバイステクノロジー第151委員会、
仙台 |
2006. 7
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特定領域研究
「ナノ多重接合系の輸送制御と新機能デバイスの研究」
（代表：田部道晴、4年）採択 |
2006. 5.24
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Zainal Arif Burhanudin（ザイナル・アリフ・ブルハヌディン）
「堀井賞」受賞
数nm厚さの薄い単結晶シリコンが厚いSiO2層に乗った構造は、熱的に不安定で真空中加熱で熱凝集が生じることが既に報告されていた。特に（100）Si層は、一定方位に配列した数珠繋ぎの島状に熱凝集することが報告されていた。ブルハヌディン君は、（111）Si層の熱凝集実験を初めて行い、整然と（110）方向に密集して配列したワイヤ状に凝集することを発見するとともに、この配列の原因が（311）面の安定性にあることを見出した。この成果は今後、Siナノデバイスの形成に役立つものであり、
Z. A. Burhanudin, R. Nuryadi, Y. Ishikawa, M. Tabe and Y. Ono "Thermally
induced formation of Si wire array on an ultrathin (111) silicon-on-insulator
substrate", Appl. Phys. Lett. 87 (12), pp.121905-1-3 (2005) Z. A.
Burhanudin, R. Nuryadi, Y. Ishikawa and M. Tabe "Transition from wire
formation to island formation in thermal agglomeration of a (111) silicon-on-insulator
layer", Thin Solid Films, vol.508, pp.235-238 (2006) の2編の論文に掲載されている。
このうち、最初のAPLの論文は、優れたナノテク関連論文を掲載しているウェブ上のジャーナル、Virtual Journal of Nanoscale
Science & Technology に選抜されて掲載された。 |
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| 2005年度 |
2005.12.12-17
|
M. Tabe, R. Nuryadi, Y. Ishikawa and H. Ikeda
"SOI-based Silicon Nanodevices"
2005 13th Int. Workshop on The Physics of Semiconductor Devices (IWPSD),
New Delhi, India |
2005.12. 7- 8
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H. Ikeda and M. Tabe
"Fabrication and Characteristics of Si Nanostructure Devices"
2005 Asian Physics Symp.,
Bandung, Indonesia |
2005.10.26-28
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Y. Ishikawa and M. Tabe
"Artificial dislocation network for Si Nanodevices"
2005 Int. Microprocesses and Nanotechnology Conf. (MNC2005),
Tokyo |
2005.10.22
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「コンピューター 光で動かせる？ 光子を検出 微小シリコン開発」
朝日新聞に掲載 |
2005.10. 4- 6
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Y. Ishikawa and M. Tabe
"Artificial dislocation network in SOI nanodevices and its transport characteristics"
2nd Int. Symp. on Point Defect and Nonstoichiometry (ISPN2),
Kaohsiung, Taiwan |
| 2004年度 |
2005. 1
|
田部道晴
「シリコンマルチドット型単電子・単正孔デバイス」
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター講演会、
東京 |
2004.11
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田部道晴
「シリコンマルチドット型単電子・単正孔デバイス」
電気学会ナノファブリケーション調査専門委員会、
浜松 |
2004.10
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M. Tabe, R. Nuryadi, H. Ikeda and Y. Ishikawa
"Si Multidot Single-Charge Tunneling Devices"
2004 Int. Conf. on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT'2004),
Beijing, China |
2004. 6.23-25
|
Y. Ishikawa, H. Ikeda and M. Tabe
"Si/SiO2 Resonant Tunneling Diodes Based on Silicon-on-Insulator Structure"
6th European Workshop on Low Temperature Electronics (WOLTE-6),
Netherlands |
2004. 6
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Y. Homma, M. Tabe and T. Ogino
"Self assembly of nanostructures and carbon-nanotube interconnection"
12th Int. Conf. Solid Films and Surfaces (ICSFS-12),
Hamamatsu |
2004. 4
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萌芽研究
「シリコン単電子デバイスによる単一イオンの動き検出」
（代表：田部道晴、3年）採択 |
2004. 4
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基盤研究(S)
「シリコン単電子デバイスの時空間輸送制御と新機能の開発」
（代表：田部道晴、5年）採択 |
2004. 4
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基盤研究(B)
「一次元トンネル接合列をもつSi単電子トランジスタの形成と電子輸送の制御」
（代表：石川靖彦、分担：田部他、3年）採択 |
|
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| 2003年度 |
2004. 3.28
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ラトノ・ヌルヤディ
第15回応用物理学会「講演奨励賞」受賞 |
2003.11.15
|
石川靖彦
「高柳研究奨励賞」受賞 |
2003. 8.21-24
|
M. Tabe, R. Nuryadi, H. Ikeda and Y. Ishikawa
"Single-Electron and Single-Hole Tunneling in Si Coupled-Dot FETs
Fabricated from Ultrathin SOI"
2003 Korea-Japan Joint Workshop on Advanced Semiconductor Processes and Equipments (ASPE 2003),
Gangneung, Korea |
2003. 4
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基盤研究(B)
「ナノドットオートマトン用シリコン連結ドット構造における単電子トンネル特性制御」
（代表：池田浩也、分担者：田部他、３年）採択 |
| 2002年度 |
2003. 2.13
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田部道晴、池田浩也、石川靖彦
「シリコンナノ構造トンネルデバイス-共鳴トンネル、単電子トンネル、フィールドエミッション- 」
奈良先端科学技術大学院大学 特別講演 |
2003. 1.30
|
田部道晴
「量子SOI構造の作製とトンネルデバイスへの応用」
即効型地域新生コンソーシアム研究開発事業 関連技術セミナー |
| 2002.11.30 |
研究室ＯＢ会 |
2002.11.22
|
池田浩也、石川靖彦、田部道晴
「SOI基板を用いたシリコン量子トンネルデバイス」
応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究会、
東京 |
2002.11.21-22
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田部道晴、池田浩也、石川靖彦
「量子SOI構造の作製とトンネルデバイスへの応用」
平成14年度応用物理学会中国四国支部研究会、
島根 |
2002.11. 1
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田部道晴、池田浩也、石川靖彦
「シリコンナノ構造トンネルデバイス-共鳴トンネル、単電子トンネル、フィールドエミッション-」
山口大学電気電子工学科講演会 |
2002. 6
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M. Tabe and Y. Ishikawa
"Si/SiO2 Resonant Tunneling Diodes Based on Ultrathin SOI Structure"
IEEE 2002 Silicon Nanoelectronics Workshop,
Honolulu |
| 2001年度 |
2002. 3. 4
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「シリコン系素材で共鳴トンネル効果」
日刊工業新聞に掲載 |
2001.10
|
M. Tabe, K. Sawada, Y. Ishikawa and M. Ishida
"Electron Field Emission from Silicon Nano-Protrusions"
The 6th Int. Conf. on Solid State and IC Technology (ICSICT'01),
Shanghai, China |
2001. 8
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M. Tabe and Y. Ishikawa
"SOI-based Si nanostructures and their applications"
Science and Technology of SILICON MATERIALS, Frontier Science Research Conf.,
California |
2001. 4
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基盤研究(C)
「SOI層の熱凝集現象を利用したSiアイランドの選択形成と光学素子応用」
（代表：石川靖彦、3年）採択 |
| 2000年度 |
2001.3
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田部道晴、石川靖彦
「シリコンのナノスケール選択酸化とデバイス応用」 応用物理学会分科会、
東京 |
2000. 4
|
基盤研究(B)
「薄いSOI活性層の熱安定化構造の開発」
（代表：田部道晴、3年）採択 |
2000. 4
|
基盤研究(B)
「2次元連結形単結晶シリコンドットの作製と電子輸送過程の研究」
（代表：田部道晴、3年）採択 |
|
|
TOPICS
2010-