国際共同研究パートナーであるインドネシア大学の教授２名が来訪されました。

平成２６年２月１９日

電子工学研究所共同研究プロジェクト「不可視光領域プロジェクト(北浦プロジェクト)」の研究会を開催します。

日時：2014年2月28日（金）13:00～17:35
場所：静岡大学電子工学研究所2階会議室
概要：照明・レーザー・シンチレーターは蛍光体が関わる分野ですが，それぞれが独自に発展を成し遂げて今日に至っています。これら3つの分野の最前線でご活躍なさっている研究者をお招きして，現状での到達点および問題点をレビューしていただきます。

世話人　北浦　守　(山形大学理学部)
原　和彦　(電子工学研究所)

電子工学研究所共同研究プロジェクト（プロジェクト名：電子状態及び電子放出機構解明に基づく極限画像デバイス用低仕事関数電界電子放出源の研究）研究会を開催します。

期日：2月15日－16日
場所：電子工学研究所2階会議室
世話人：中本正幸 教授

共同研究プロジェクトによるワークショップ「The 1st Japan-China Joint Workshop on Material Science in Space」を開催します。
期日：2月9日（日）10:00－
場所：電子工学研究所2階会議室

国際ワークショプ 2014 International Workshop on Advanced Nanovision Science を1月20日，1月21日に高柳記念未来技術創造館で開催しました

共同研究発表会を開催します。

テーマ：Space and Time Extremely High Performance Algorithms and Models for Image Analysis
期日：2014年1月29日10:00～
場所：電子工学研究所2階会議室

くわしくはこちら。

日時：1月30日（木）　13:30-14:30
場所：電子工学研究所　2階　会議室
講演タイトル：
「電流検出型電子スピン共鳴分光（EDMR)とデバイス評価」
講師：つくば大学　梅田享英（Umeda Takahide）先生

世話人：田部道晴

電子工学研究所とモルドバ科学アカデミーの部局間交流協定

　2014年1月20日（月）、電子工学研究所に於いて三村秀典電子工学研究所長とモルドバ科学アカデミーPresidentのGheorghe Duca氏が覚書に署名をしました。この覚書は、両研究所間の共同研究や人的交流を通して研究・教育の提携関係を強化するものです。

　調印式後には国内外の研究者を多数招いて行われた「2014 International Workshop on　Advanced Nanovision Science」で講演を行いました。今後の両研究所の学術・研究交流の更なる発展が期待されます。

電子工学研究所共同研究プロジェクト（プロジェクト名：単電子デバイスの高周波特性に関する研究）講演会を開催します。
詳細はこちら。

国際ワークショプ 2014 International Workshop on Advanced Nanovision Science

日時：２０１４年１月２０日　１３：００～
２０１４年１月２１日　　９：３０～
会場：静岡大学　浜松キャンパス　高柳記念未来技術創造館　1F
（浜松市中区城北3-5-1）
主催：静岡大学電子工学研究所

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研究会テーマ： 「バイオイメージングの展開」
主催：有機デバイス研究会
共催：静岡大学電子工学研究所
日時：2014年1月24日（金） 13：00 より
会場：静岡大学佐鳴会館会議室
（浜松市中区城北3－5－1 静岡大学浜松キャンパス内）

プログラムはこちら

研究会のホームページはこちら

寺西特任教授がIEEE Electron Devices Society より Development of the
Pinned Photodiode concept widely used in Image Sensorsの功績により、J.
J. Ebers Awardを受賞しました。表彰式は12月9日に行われました。J.J.Ebers
Awardはこちら。

共同研究ワークショップを開催します。

期日：2013年12月13日、10:00～

場所：2階会議室

早川泰弘教授が「エネルギーデバイス関連高品質材料の結晶成長に関する研究」で第27回高柳記念賞を受賞しました 。

田部教授のグループが応用物理学会シリコンテクノロジー分科会論文賞を受賞しました。
これは当分野において、学術的価値の高い論文の著者全員に対して与えられる賞です。

贈呈式と受賞記念講演は、2014年春季応用物理学会講演会中に行われる予定です。

受賞論文名：Electron-tunneling operation of single-donor-atom transistors at elevated temperatures
雑誌名：Physical Review B, Vol. 87, pp. 085420-1-5
著者名：Earfan Hamid, Daniel Moraru, Youhei Kuzuya, Takeshi Mizuno, Le The Anh, Hiroshi Mizuta, Michiharu Tabe