

当分野の学問的なバックグラウンドは、単電子デイバスに代表されるナノデバイス、電磁界解析(シミュレーション)、プラズモニクス、ナノフォトニクス等であるが、電子線描画を中心としたナノ加工技術を駆使してデバイスを作製し実証することを常に目指している。

- SOI MOSFETによる室温動作、低ダークカウント(~0.01 cps)の単一フォトン検出
- 表面プラズモン(SP)アンテナによるSOIフォトダイオードの量子効率向上と高感度屈折率測定への応用
- 金微粒子ナノコンポジット膜によるフォトダイオード感度増強
- 金属コート円錐プリズムを用いた表面プラズモン局在化励起
- SPアンテナによるバイオセンシング
- 金属ナノレンズを用いた超解像イメージング
- ナノデバイスを用いた光検出波長域のTHz, 赤外への拡大
- 単電子トランジスタの整流作用などの新原理による光検出
- ナノデバイス集積化によるイメージングの高度化
- 重いSn原子とナノ構造を複合利用した熱電特性
- 革新的半導体レーザに関する研究



