IEEE多値論理国際シンポジウム(ISMVL) Outstanding Contributed Paper Award

受賞日：2006年5月19日（ISMVL-2006、シンガポール）

受賞者（論文著者）： 出川 勝彦（東北大学），青木 孝文（東北大学），樋口 龍雄（東北工業大学），猪川 洋（静岡大学），高橋 庸夫（北海道大学）

論文タイトル： A Two-Bit-per-Cell Content-Addressable Memory using Single- Electron Transistors

発表先：Proceedings of the 35th IEEE International Symposium on Multiple-Valued Logic (ISMVL), pp. 32-38, Calgary, Canada, May 19-21, 2005.

概要：単電子トランジスタを用いた1セルあたり２ビットを記憶する連想メモリを提案した。本メモリでは、４値のスタティックメモリと４値のデータ照合部に単電子トランジスタの周期的なドレイン電流特性を有効利用した。その結果、従来の連想メモリに比べてトランジスタ数を１／３に削減できた。