・ナノメータ分極反転制御と応用デバイスに関する研究
Nanometer scale domain inversion in optoelectronic crystal (LiTaO3 / LiNbO3) and its applications.


■LiNbO3 (LN), LiTaO3 (LT)などの誘電体光学結晶にnmサイズの分極反転構造を作製し、高温度、強磁場に全く影響を受けない耐環境性に優れた超大容量メモリ(メモリ密度1Tb/cm2、4.7GB-DVD換算で約1,600枚分)を研究開発することを目的としています。また、非線形光学結晶に任意サイズの微小分極反転構造を形成し、高純度青色SHGデバイスの作製や高速高感度赤外線検出用SFGデバイスの開発を目的としています。



研究室で開発したSHG青色光源



■参考資料 

・円電極を用いた微小分極反転形成法

・Black-LN 結晶を用いた低電圧分極反転特性



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