・ナノメータ分極反転制御と応用デバイスに関する研究
Nanometer
scale domain inversion in optoelectronic crystal (LiTaO3 / LiNbO3) and its applications.
■LiNbO3 (LN),
LiTaO3
(LT)などの誘電体光学結晶にnmサイズの分極反転構造を作製し、高温度、強磁場に全く影響を受けない耐環境性に優れた超大容量メモリ(メモリ密度1Tb/cm2、4.7GB-DVD換算で約1,600枚分)を研究開発することを目的としています。また、非線形光学結晶に任意サイズの微小分極反転構造を形成し、高純度青色SHGデバイスの作製や高速高感度赤外線検出用SFGデバイスの開発を目的としています。

研究室で開発したSHG青色光源
■参考資料