・MBEによる高コヒーレント光レーザの開発
Development of high coherent laser by Molecular Beam Epitaxy.

■分子線エピタキシー法によるInGaAs/GaAs 多重量子井戸の作製とフォトルミネッセンスの測定

Formation of quantum structure of III-V semi- conductor InGaAs/GaAs MQW(Multi Quantum Well) and Photo-luminescence measurement have been made.

作製したMQW構造とそのPL強度

・InxGa1-xAs/GaAs 多重量子井戸構造
　半導体レーザの製作を目的として、In0.15Ga0.85As/GaAs 多重量子井戸構造を分子線エピタキシ法によって形成した（構造を挿入図に示した）。そのフォトルミネッセンスを 77K で測定した結果を図に示す。1.382 eV にピークを持つ、半値幅 5meV の発光が得られた。発光エネルギーは、バンド構造から計算される値（挿入図）とほぼ一致しており、半値幅は文献で報告されている値と同程度となった。

・InxGa1-xAs/GaAs Multi Quantum Well Structure
　For the purpose of fabricating a semiconductor laser, we have grown an In0.15Ga0.85As/GaAs multi-quantum well structure by molecular beam epitaxy (the schematic diagram of the structure is inserted in the figure). The figure shows the photo luminescence spectrum measured at 77K. The peak energy and FWHM (full width at half maximum) is 1.382 eV and 5 meV, respectively. The energy corresponds to the calculated energy based on the band structure. The value of FWHM is comparable to the reported one.

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