2010. 6. 7-11
（予定） |
European MRS（E-MRS), France, "Single-photon detection by Si single-
electron FETs" |
2010. 3. 1- 2
（予定） |
JST International Symposium on Atom-scale Silicon Hybrid Nanotechnolgies
for 'More-than-Moore' and 'Beyond CMOS' Era, Southampton, UK, "Towards
Silicon-based Single Dopant Technology" |
| 2010. 1.29-30 |
5th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics,
Sendai, "Si Single-Dopant FETs and Observation of Single-Dopant Potential
by LT-KFM" |
| 2010. 1.22 |
応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 接合技術研究集会「不純物ドーピングの挑戦と将来展望−不純物ドーピングは使えるか？」（東京）
「シングルドーパントデバイスの現状と課題」 |
| 2009.12.19 |
日本表面科学会中部支部研究会 チュートリアル講演（名古屋）
「シリコン ドーパント原子デバイス」 |
| 2009.12.11 |
電子情報通信学会北海道支部およびIEEE札幌支部共催講演会（札幌）
「シリコンドーパント原子デバイス」 |
| 2009.11.11-12 |
2nd International Conference on Advanced Material and Practice of Nanotechnology (ICAMPN), Jakarta, Indonesia, "Silicon Nano Devices: Breakthrough for The Future" |
| 2009.10.30 |
「The 6th KJS Workshop The Best Presentation Award」受賞
三木早樹人 工学研究科 電気電子工学専攻 M1
S. Miki, D. Moraru, R. Nakamura, M. Ligowski, T. Mizuno, M. Tabe
「Si Single Electron Devices Using Individual Dopants」
The 6th Korean-Japanese Student Workshop, 浜松, (2009.10.29-30)にて発表 |
| 2009.10.29-30 |
The 6th Korean-Japanese Student Workshop (KJS Workshop), 浜松, "Single Dopant Electronics"
|
| 2009. 9.16 |
「Inter-Academia 2009 Young Researchers Award」受賞
Mohd Faiz Bin Mohd Salleh（ファイズ・サレ）
 工学研究科 電気電子工学専攻 M1（出身国 マレーシア）
Faiz Salleh, Kiyosumi Asai, Akihiro Ishida, Hiroya Ikeda
「Impurity-concentration dependence of Seebeck coefficient in silicon-on-
insulator layers」
8th International Conference on Global Research and Education (Inter- Academia
2009), Kazimierz Dolny & Warsaw, Poland (2009.9.14-17) にて発表 |
| 2009. 9. 1- 3 |
第5回 阪大ナノサイエンステクノロジー国際シンポジウム（大阪）
「Si Multi-dot FET Using Discrete Dopants」 |
| 2009. 5.17-22 |
6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-6), Los Angeles, USA, "Observation of discrete dopant potential and its application to Si
single-electron devices" |
| 2009. 4 |
科研費：基盤研究B「量子構造によるシリコン熱電変換特性の超高効率化と測定技術の開発」（代表：池田浩也、3年）採択 |
| 2009. 1.10 |
静岡大学創造科学技術大学院シンポジウム（浜松）
「シリコンナノデバイスの新展開 -少数個の電子とイオンの利用に向けて-」
|
| 2009. 1. 8- 9 |
日本学術振興会 ナノプローブテクノロジー第167委員会（京都）
「KFMによる半導体不純物分析の最前線」 |
| 2008.12.19 |
平成20年度電子情報通信学会東北支部専門講習会（秋田）
「シリコン単電子デバイス：単一フォトンおよび単一ドーパントとの相互作用」 |
| 2008.12. 9-13 |
IUMRS International Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008), Nagoya,
"Application and Observation of Discrete Dopant Potential for Si Single-
Electron Devices" |
| 2008.12. 1- 5 |
MRS fall meeting 2008, Boston/MA, "Si Single-Electron SOI-MOSFETs: Interplay with Individual Dopants
and Photons" |
| 2008.10. 2 |
「集積回路 原子の「ムラ」検査−静岡大、微細化促す新技術」
日経産業新聞に掲載 |
| 2008. 7 |
第2回応用物理学会「フェロー表彰」受賞：田部道晴
「シリコン表面の反応過程と単電子デバイスの研究」 |
| 2008. 5.16 |
The 5th International Workshop on Nanoscale
Semiconductor Devices (IWNSD), Seoul, Korea, "Si single-electron devices: manipulation of individual dopants" |
| 2008. 4 |
科研費：基盤研究A「少数ドーパントのポテンシャル揺らぎを利用したシリコン単電子転送デバイス」（代表：田部道晴、4年）採択 |
| 2007.12. 5 |
Masaryk University (Brno, Czech Republic)よりInnovative Lectures Award (INNOLEC) 受賞：田部道晴
"Silicon nanoelectronics: Toward manipulation of a few electrons, photons and ions" |
| 2007.11.26 |
第97回 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究集会
「シリコンナノ構造を利用した新機能単電子デバイス」 |
| 2007.11.12-14 |
Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V),
東京, "Si
Single-Electron Devices: Interaction with Individual Dopants and Photons" |
| 2007.11. 8- 9 |
3rd International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics,
仙台, "Si Bicrystal Structures for Multijunction Single-Electron Devices" |
| 2007. 9.19-21 |
7th International Conference Mechatronics 2007, Warsaw, Poland,
"Manipulation
of single-electrons in Si nanodevices --Interplay with photons and ions--"
|
| 2007. 8.26-29 |
13th International Symposium on Ultrafast Phenomena in Semiconductors (13-UFPS), Vilnius, Lithuania, "Si multidot FETs for single-electron transfer and single-photon detection" |
| 2007. 6.25-27 |
Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor
Devices (AWAD 2007), Korea, "Si single-electron FETs for single-photon
detection" |
| 2007. 4 |
科研費：基盤研究C「ナノワイヤー構造を用いた高性能シリコン熱電変換モジュールの開発」（代表：池田浩也、2年）採択 |
| 2007. 3.27 |
第21回（2006年秋季）応用物理学会「講演奨励賞」受賞
Daniel Ioan Moraru（ダニエル・イオアン・モラル）
 ナノビジョン工学専攻 特別コース D3、国費留学生（出身国ルーマニア）
モラルダニエル、小野行徳、猪川 洋、横井清人、ラトノヌルヤディ、池田浩也、田部道晴
「PドープSiナノワイヤにおける単電子転送」
第67回応用物理学会学術講演会、草津（2006.8.29-9.1）にて発表 |
| 2007. 1.29 |
学術振興151委員会/平成19年1月研究会”シリコン系デバイス・材料の新展開”（熱海）、 「Si単電子デバイスとフォトン検出」 |
| 2007. 1. 6 |
第20回上田記念講演会および東海支部40周年記念会（名古屋）
「シリコン単電子デバイス―ランダムドット系での単電子操作と光応用―」 |
| 2006.12. 9 |
第20回（平成18年度）「高柳記念賞」受賞：田部道晴
「シリコン単電子デバイスの開発とフォトン検出に関する基礎的研究」 |
| 2006. 9.22 |
電気学会フィジカルセンサ技術委員会（豊橋）
「シリコンマルチドット型単電子デバイスとフォトン検出への応用」 |
| 2006. 9.13 |
「SSDM Young Researcher Award (2006)」受賞
Daniel Ioan Moraru（ダニエル・イオアン・モラル）
 電子科学研究科 ナノビジョン工学専攻 特別コース D2
国費留学生（出身国ルーマニア）
(２００６年４月１８日付けの通知文書より）：この賞は、第一著者が３０歳以下の若い研究者による優れた下記論文に与えるものである。
２００６年９月に横浜で開かれたＳＳＤＭ(International Conference on Solid State Devices and
Materials) ２００６において表彰された。
D. Moraru, H. Kato, S. Horiguchi, Y. Ishikawa, H. Ikeda and M. Tabe: "Fowler-Nordheim
current oscillations in Si (111)/SiO2/twisted-Si (111) tunneling structures",
2005 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM
2005), Kobe (2005. 9. 13-15). |
| 2006. 9. 4-5 |
1st International Conference on Advanced Material and Practical Nanotechnology, Tangerang, Indonesia,
"Nanoelectronic Devices: Silicon Single Electron Device" |
| 2006. 7.10 |
日本学術振興会 未踏・ナノデバイステクノロジー第151委員会 （仙台）
「シリコン単電子デバイスの新展開」 |
| 2006. 7 |
科研費：特定領域研究「ナノ多重接合系の輸送制御と新機能デバイスの研究」（代表：田部道晴、4年）採択 |
| 2006. 5.24 |
「堀井賞」受賞
Zainal Arif Burhanudin（ザイナル・アリフ・ブルハヌディン）
 電子科学研究科 ナノビジョン工学専攻 D2
大使館推薦国費留学生（出身国マレーシア）
数ｎｍ厚さの薄い単結晶シリコンが厚いＳｉＯ２層に乗った構造は、熱的に不安定で真空中加熱で熱凝集が生じることが既に報告されていた。特に（１００）Ｓｉ層は、一定方位に配列した数珠繋ぎの島状に熱凝集することが報告されていた。ブルハヌディン君は、（１１１）Ｓｉ層の熱凝集実験を初めて行い、整然と（１１０）方向に密集して配列したワイヤ状に凝集することを発見するとともに、この配列の原因が（３１１）面の安定性にあることを見出した。この成果は今後、Ｓｉナノデバイスの形成に役立つものであり、
Z. A. Burhanudin, R. Nuryadi, Y. Ishikawa, M. Tabe and Y. Ono: "Thermally
induced formation of Si wire array on an ultrathin (111) silicon-on-insulator
substrate", Appl. Phys. Lett. 87 (12), pp.121905-1 - 121905-3 (2005).
Z. A. Burhanudin, R. Nuryadi, Y. Ishikawa and M. Tabe: "Transition from wire formation to island formation in thermal agglomeration of a (111) silicon-on-insulator layer", Thin Solid Films, vol.508, pp.235-238 (2006).
の２編の論文に掲載されている。このうち、最初のＡＰＬの論文は、優れたナノテク関連論文を掲載しているウェブ上のジャーナル、Virtual Journal
of Nanoscale Science & Technology に選抜されて掲載された。 |
| 2005.12.12-17 |
13th International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices (IWPSD-13),
India, "SOI-based silicon nanodevices" |
| 2005.12.7-8 |
2005 Asian Physics Symposium (APS2005), Bandung, Indonesia, "Fabrication
and characteristics of Si nanostructure devices" |
| 2005.10.26-28 |
2005 International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2005),
"Artificial dislocation network for Si nanodevices" |
| 2005.10.22 |
「コンピューター 光で動かせる？ 光子を検出 微小シリコン開発」朝日新聞に掲載 |
| 2005.10.4-6 |
2nd International Symposium on Point Defect and Nonstoichiometry (ISPDN-2),
高雄, 台湾, "Artificial dislocation network in SOI nanodevices and its
transport characteristics" |
| 2004. 9. 6-9 |
[Keynote Speech]：3rd International Conference on Grobal Research and Education in Intelligent Systems (Inter-Academia 2004), Budapest, "Si single-electron ans single-hole tunneling devices" |
| 2004. 6.23-25 |
Sixth European Workshop on Low Temperature Electronics (WOLTE-6), Noordwijk,
The Netherlands, "Si/SiO2 resonant tunneling diodes based on silicon-on-insulator structure" |
| 2004. 4 |
科研費：萌芽研究「シリコン単電子デバイスによる単一イオンの動き検出」（代表：田部道晴、3年）採択 |
| 2004. 4 |
科研費：基盤研究S「シリコン単電子デバイスの時空間輸送制御と新機能の開発」（代表：田部道晴、5年）採択 |
| 2004. 4 |
科研費：基盤研究B「一次元トンネル接合列をもつSi単電子トランジスタの形成と電子輸送の制御」（代表：石川靖彦、3年）採択 |
| 2004. 3.28 |
ラトノ・ヌルヤディ：第15回応用物理学会「講演奨励賞」受賞 |
| 2003.11.15 |
石川靖彦：「高柳研究奨励賞」受賞 |
| 2003. 8 |
2003 Korea-Japan Joint Workshop on Advanced Semiconductor Processes and Equipments, Gangneung, Korea, "Single-electron and single-hole tunneling in Si coupled-dot FETs fabricated from ultrathin SOI" |
| 2003. 4 |
科研費：基盤研究B「ナノドットオートマトン用シリコン連結ドット構造における単電子トンネル特性制御」（代表：池田浩也、３年）採択 |
| 2002.12. 7 |
池田浩也：「高柳研究奨励賞」受賞 |
| 2002.11.30 |
研究室ＯＢ会 [集合写真] |
| 2002. 6 |
IEEE 2002 Silicon Nanoelectronics Workshop,Honolulu, "Si/SiO2 Resonant Tunneling Diodes Based on Ultrathin SOI Structure" |
| 2002. 3. 4 |
「シリコン系素材で共鳴トンネル効果」日刊工業新聞に掲載 |
| 2001.12 |
The Third Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium, Hamamatsu, "Silicon
Nanostructured Tunneling Devices" |
| 2001.10 |
The Sixth International Conference on Solid State and IC Technology (ICSICT'01),
Shanghai, China, "Electron Field Emission from Silicon Nano-Protrusions" |
| 2001. 8 |
Frontier Science Research Conferences, La Jolla, California, "SOI-based
Si nanostructures and their applications,Science and Technology of SILICON
MATERIALS" |
| 2001. 4 |
科研費：基盤研究C「SOI層の熱凝集現象を利用したSiアイランドの選択形成と光学素子応用」（代表：石川靖彦、3年）採択 |
| 2000. 4 |
科研費：基盤研究B「薄いSOI活性層の熱安定化構造の開発」（代表：田部道晴、3年）採択 |
| 2000. 4 |
科研費：基盤研究B「2次元連結形単結晶シリコンドットの作製と電子輸送過程の研究」（代表：田部道晴、3年）採択 |
| 1999.12 |
Rump Session, Int. Symp. on Surf. Sci. For Micro-and Nano-Device Fabrication
(ISSS-3), Tokyo, "What impact will nano--scale surfacre processes
produce on future devices?" |
| 1999.10 |
Rump Session, Third Int. Symposium on Control of Semiconductor Interfaces(ISCSI-III),
Karuizawa, "Controling crystal defects in hetero-interfaces; is it
still a dream?" |
| 1999. 9 |
Rump Session, Int. Joint Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures(IJC-Si), Zao, Miyagi, "Silicon Nanostructures -how to control and what to expect-" |
| 1997.11 |
The 3rd Int. Workshop on Quantum Functional Devices, Maryland, USA, "Si
Quantum Dot Formation by nm-scale LOCOS Process" |
